마이크로일렉트로닉스

반도체 제조용 가스 여과 어플리케이션 자료

제목 하위 공정 공정 개선 사항 비즈니스 이점 해당 제품
어플리케이션
Pall Gaskleen® 퓨리파이어의 장점 - 방향 제한 없음(PDF)  해당 없음 
  • 수직 또는 수평 방향과 관계없이 불순물 제거율이 동등
  • 가스 라인 오염도 감소
  • 저압- 강하
  • 신속한 반응 시간 
  • 낮은 소유 비용
  • 정제 비용 감소
     
건식 식각 공정 어플리케이션 정보(PDF) 
  • 습식 식각 공정
  • 반응성 이온 식각(RIE)
  • 이방성 식각
  • MERIE(Magnetically enhanced reactive ion etcher)
  • ECR(Electron cyclotron resonance)
  • 스퍼터링
  • 순수 화학 식각
  • 이온 강화 에너지 구동 식각
  • 이온 강화 억제제 식각 
  • 건식 식각 공정 변형에 대한 통제 강화
  • 높은 식각률
  • 스퍼터링 및 플라즈마 유도 표면 손상 감소
  • 제조 수율 증가
  • 도구 가동 시간 증가
  • 낮은 소유 비용 
ALD(원자층 증착) 공정용 POU(Point of Use) 가스 퓨리파이어(PDF)
  • 박막 필름 증착
  • 등각 필름 증착
  • PVD(Physical vapor deposition)
  • CVD(Chemical Vapor Deposition)
  • ALD 원자로의 가스 오염 예방 
  • 수율 증가
  • 총 소유 비용 절감
     
사전 에피택시 증착 식각(PDF) 
  • 염화수소(HCI) 증기 상 식각
  • 실리콘 웨이퍼 식각 
  • 수분을 제거하여 낮은 수준으로 떨어뜨리므로 폴리실리콘 증가 및 분포 시스템 부식을 가속하는 결함 예방
  • 용수 표면의 금속 산화물 결함이나 회로의 합선 방지
  • 상온에서 작동되므로 외부 보온이나 냉각 장치 불필요 
  • 시스템 부품을 추가하지 않고도 효율적으로 입자 제거
  • 낮은 소유 비용 
POU(Point of Use) Pall 퓨리파이어 설치로 유전체 플라즈마 식각 공정 중의 오염 예방(PDF)
  • 산화물 증착
  • 포토리쏘그래피(Photolithography)
  • 이방성 식각 공정
  • 1ppb(십억분율) 미만의 가스 불순물 다수 제거
  • 공정 균일성 향상
  • 공정 수율 증가 
Pall Gaskleen® SP 어셈블리를 사용하여 반도체 공정의 산소 센서 보호(PDF)
  • RTD(Rapid Thermal Process)
  • ALD(Atomic Layer Deposition)
  • epi CVD(Epitaxial Chemical Vapor)
  • PVD(Physical Vapor Deposition) 
  • 파울링으로부터 배기 스트림의 산소 센서 보호
  • 교정 간격 증대
  • 피해가 큰 도구 정지 시간 최소화
  • 총 소유 비용 절감
실리콘 에피택시 공정에서 실란 가스의 실록산 불순물 제거(PDF) 
  • RTD(Rapid Thermal Process)
  • ALD(Atomic Layer Deposition)
  • Epi CVD(Epitaxial Chemical Vapor Deposition) 
  • PVD(Physical Vapor Deposition)
  • 파울링으로부터 산소 센서 보호
  • 교정 간격 증대
  • 미립자 오염을 제거하여 산소 센서 보호
  • 센서 유효 기간 증가
  • 피해가 큰 도구 정지 시간 최소화
  • 총 소유 비용 절감
CO용 Pall Gaskleen® 퓨리파이어를 사용하여 유전체 플라즈마 식각 공정의 금속 카보닐과 수분 오염 예방(PDF) 
  • 산화물 증착
  • 포토리쏘그래피(Photolithography)
  • 이방성 식각
  • 수분 및 금속 카보닐 제거율 증가
  • 웨이퍼의 니켈 오염 감소
  • 총 소유 비용 절감 
기술 문서
염화수소 가스용 Novel 정제 미디어가 포함된 퓨리파이어를 평가하기 위한 분석 방법론(PDF) 
  • 식각 및 공정 챔버 세척용 반도체 장치 제작
  • 사전 에피택시 증착 식각 
  • 염화수소(HCI) 가스에서 수분 제거율 증가 
해당 없음 
우수한 칩에는 순수한 가스 필요 - 2004년 11월 Clean Rooms(안전 PDF) 
  • 가스 여과 및 정제
  • 플라즈마 식각
  • 리쏘그래피
  • 입자 및 필터 오염 물질 제거 
  • 반도체 제작 수율 향상 
해당 없음
마이크로일렉트로닉스에 사용되는 다양한 POU(Point-of Use) 불활성 가스 정제 기술에 대한 포괄적인 성능 테스트 및 특성화 - 2004년 7/8월 Gases & Technology(PDF) 
  • 플라즈마 식각
  • 화학적 증기 증착
  • 스퍼터
  • 원자층 증착
  • 에피택시 공정
  • 공정 및 장치 수율, 균일성 및 예측성 향상
해당 없음 
차세대 정제 기술을 사용하여 실란 공정 가스의 실록산 불순물 제거 - 2000년 7월/8월 Micro(PDF)  해당 없음 
  • 실록산 불순물 감소
  • 고급 장치에 요구되는 수준까지 필름 결함 감소
     
  • 공정 장비의 정지 시간 감소 
신중한 부품 선택으로 시스템 차지 공간 및 운영 비용 감소(PDF) 
  • 플라즈마 식각 공정 
  • 차지 공간 감소
  • 유량 증가
  • 교정 감소
  • 사용 수명 연장 및 교체 필요성 감소
  • 추가 열원 필요 없음
  • 기판에 빈 공간 추가 
  • 낮은 자본 및 유지 관리 비용
  • 가동 시간 증가
  • 생산성 향상
  • 에너지 비용 절감
CO 가스의 POU 정제를 통해 금속 카보닐 및 수분 불순물 제거 - 2005년 7월 Solid State Technology(안전 PDF)
  • 식각 공정 
  • 불순물의 효과적 제거
  • 장치 수율 향상
  • 예측성이 높아진 공정 
  • 공정 수율 향상 
인장 실리콘 어플리케이션용 실리콘 게르마늄 에피택시 증착 공정에서 POU(Point-of Use) 수소 정제 방식 사용 시 산소 불순물 수준에 대한 SIMS 분석(PDF)  해당 없음
  • 원자로의 불순물 스파이크 방지
  • 공정 및 장치 변형 감소
  • 예측률 향상
  • 입자 제거 
 
  • 공정 수율 증가