마이크로일렉트로닉스

반도체 제조용 리쏘그래피 어플리케이션 문서

 
제목 관심 있는
하위 공정
공정 개선 사항 비즈니스 이점 해당 제품
어플리케이션  
최적의 포토레지스트 여과를 위한 필터 선택(PDF)
  • 193nm
  • 248nm
  • i-line 포토레지스트 코팅
  • 낮은 사용 압력
  • 부드러운 겔 입자 잔류율 향상
  • 미세 기포 발생량 감소
  • 프리웨팅(Prewetting) 불필요
  • 습윤성 향상
  • 하단 반사 방지 코팅 화학 반응 시 콘 결함 감소
  • 소유 비용 절감
 
간행된/기술
논문
Microbridge reduction in negative tone imaging at photoresist point-of-use filtration(PDF)
  • 193i point-of-use photoresist filtration in both negative and positive tone imaging
  • 마이크로브리지 결함 감소
  • 제품 수율 증가
30nm 미만의 골드 나노 입자 및 보호 리간드를 사용하는
새로운 필터 평가 방식
(PDF)
해당 없음
  • 입자 크기 멤브레인 유인 상호 작용 감소 
해당 없음
POU(Point-of -use)여과를 통해 결함 감소
(PDF)새로운 Coater/Developer에서 
  • Lithius Pro Coater 도구의 193nm 포토레지스트
  • 마이크로브리지 결함 대폭 감소
  • 유체 청정도 향상
  • 제품 수율 증가 
마이크로브리지 감소를 위한 여과 조건 연구(PDF)
  • DUV 포토레지스트 패턴 수립
  • 포토레지스트 고분자 솔루션의 POU(Point-of-Use) 여과
  • 리쏘그래피
  • 마이크로브리지 결함 감소
  • 겔과 유사한 마이크로브리지 전구체의 제거율 향상
해당 없음
포토레지스트에서 금속 이온 제거
솔벤트 - 1999 마이크로리쏘그래피 컨퍼런스
  • 솔벤트
  • 사전 코팅
  • 레지스트 제조
  • 금속 이온 수준 감소
  • 0.25마이크론이하 세밀한  구조 제작 시 포토레지스트 솔벤트를 정제하여 웨이퍼 표면의 이온/금속 오염 감소
해당 없음 
마이크로브리지 및 e테스트를 통해
포토리쏘그래피 유체의 여과를 개선하여 결함 감소
(PDF) 
  • 193nm 포토레지스트
  • 오존 DI water 헹굼
     
  • 리쏘그래피 후 마이크로브리지 결함 대폭 감소
  • 마이크로브리지 결함의 전구체 기능을 하는 부드러운 겔 같은 오염 물질의 여과 향상 
  • 전용 개구부 D0 감소   
해당 없음 
새로운 필터 평가 방식 -
30nm 미만 리쏘그래피 공정 필터 사용 시
(PDF)
  • 193nm (건식) 리쏘그래피 공정 
  • 마이크로브리지 결함 제거 
해당 없음 
결함 감소 및 디스펜스 레시피 개선을 위해 최적화된 여과
(193nm BARC 리쏘그래피 시) - 2004년 SPIE 컨퍼런스
(PDF) 
  • 식각
  • CMP(Chemical mechanical polishing) 및 세정
     
  • 하단 및 반사 코팅 소재에서 관찰되는 다양한 결함 제거
  • 디스펜스 레시피 개선
  • 식각 후 결함 감소
     
해당 없음  해당 없음 
ArF 리쏘그래피의 결함 감소를 위해 필요한 필터 멤브레인 연구, 2005년 Fujifilm Interface(PDF)
  • 193nm 리쏘그래피
  • 브리지 결함 감소
해당 없음  해당 없음 
50nm 미만 여과가 진보된 리쏘그래피의 결함 감소에 미치는 효과, 2004년 ARCH Interface(PDF)
  • 식각
  • 193nm 리쏘그래피
  • BARC(하단 반사 방지 코팅)
  • BARC의 결함 감소
  • 레지스트의 필수 부품이 잘못 제거되는 현상이나 고분자 전단 방지
  • 193nm 레지스트의 마이크로브리지 결함과 BARC 화학의 콘 결함 감소
해당 없음  해당 없음